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​도금을 비롯한 표면처리 기술 리뷰

​불용성 전극, DSA

LDS 또는 LMA

에반스 다이어그램

불용성전극

​꼭지 4-1

불용성 전극, DSA

앞선 글에서 산화동이 나온 김에 불용성전극을 이용한 전해도금 이야기로 이어가 보겠습니다. 양극으로 동볼 대신 불용성 전극을 이용하는 전해구리도금이 보편화 되었지만 그 원리에 대하여 설명한 자료는 흔치 않습니다. 만족할 만한 해설이 되긴 어렵겠지만 알아두면 도움이 될 만한 개념들을 소개하고자 합니다.

 

동볼을 쓰는 전해조와 불용성양극을 쓰는 전해조가 다른 점은 말 그대로 양극이 불용성 양극인 점, 구리소스를 산화동을 이용한다는 것입니다.

 

불용성 양극insoluble anode이란 명칭은

 

치수안정성 전극DSA dimensionally stable anode,

산화이리듐 전극 Iridium oxide anode,

티타늄코팅전극CTA coated titanium anode,

금속산화물전극MMO mixed metal oxide

 

와 혼용해 사용되고 있습니다. 명칭으로 구분해 보면, 불용성 양극insoluble anode, 치수안정성 전극DSA dimensionally stable anode 은 전극의 성질property를 나타낸 것이고, 산화이리듐 전극 Iridium oxide anode, 티타늄코팅전극CTA coated titanium anode, 금속산화물전극MMO mixed metal oxide 은 전극의 재료를 나타내는 명칭입니다. 녹지 않는insoluble → 치수dimension가 변하지 않는다는 의미에서 불용성 전극과 치수안정성 전극은 유사한 개념입니다. 티타늄 기재에 금속산화물을 코팅한다는 의미에서 산화이리듐전극, 티타늄코팅전극, 금속산화물전극은 동일한 것을 약간씩 다르게 표현한 명칭들입니다.

 

불용성 양극insoluble anode 또는 치수안정성 전극DSA dimensionally stable anode 으로 사용되는 전극의 종류는 다양합니다. 이들 중에서 가장 우수한 성능을 보이는 전극 중 하나가 티타늄에 금속산화물을 코팅한 전극이고, 상업적으로도 널리 이용되면서 이들의 명칭이 혼용되어 왔습니다. 현재 도금, 전해회수 분야에서 불용성양극이라 하면 티타늄에 이리듐Iridium과 탄탈럼tantalum 산화물을 코팅한 전극과 같은 의미로 사용합니다.

 

전해도금조에서 도금이 되는 피도물은 전해음극으로 작용하고 음극표면에서 구리이온이 금속구리로 환원됩니다. 동볼양극은 전해중에 산화되어 구리이온이 됨으로써 전해양극으로 작용함과 동시에 도금액에 구리이온을 제공하는 소스로 작용합니다. 반면 불용성 양극은 전해양극으로만 작용하며 구리소스로서 산화동을 전해액에 녹여줌으로써 구리이온이 공급됩니다.

 

음극은 환원반응에 필요한 전자를 공급하고 양극은 전자를 빼앗는 역할을 합니다. 전자는 정류기가 공급하는 전기적 에너지에 의해 이동합니다. 양극으로서 동볼은 구리원자가 전자를 잃고 이온이 되어 도금액으로 확산되므로 크기가 작아집니다. 불용성 양극은 말 그대로 녹지 않기 때문에 크기(치수) 변화가 없습니다.

 

그렇다면 불용성 양극은 전자를 잃지(산화) 않는 것 같습니다. 양극이 전자를 잃지 않는다면 전자를 잃는 다른 무언가가 있어야 합니다. 즉 자신은 전자를 잃지 않고 다른 물질이 전자를 잃는 반응을 하게해야 할 것입니다. 불용성 양극 주변에서 산화될 물질이 무엇이 있을지 생각해 봅시다.

 

도금액은 물을 기반으로 하는 수용액입니다. 당연히 물H2O가 많겠죠

황산 수용액이니 수소이온H+과 황산이온SO42− 도 있습니다.

구리도금액이니 구리양이온Cu2+이 있습니다.   

각종 첨가제가 있습니다.

 

어떤 물질이 산화 또는 환원되려는 경향의 정도를 나타내는 기준, 즉 산화환원전위oxidation-reduction potential을 비교하면 산화될 물질을 찾을 수 있을 겁니다. 각 물질의 표준전극전위standard electrode potential 수치를 봅시다

 

S2O82− + 2 e−            ⇌   2 SO42−   +2.010

2 H+ + 2 e−               ⇌   H2(g)     0.0000

O2(g) + 4 H+ + 4 e−    ⇌   2 H2O     +1.229

Cu2+ + 2e−              ⇌   Cu(s)     +0.337

 

 

전자를 얻어서 환원되려는 경향을 오른쪽의 수치로 비교할 수 있습니다. 이 값을 환원전위라 하며 클수록 환원되려는 = 전자를 받으려는 경향이 크다는 의미가 됩니다. 수소이온이 전자를 얻어 수소가스가 되는 전극전위를 기준으로 하므로 이 값을 0 으로 하여 이보다 크면 상대적으로 환원하려는 경향이 크고 0 보다 작으면 상대적으로 환원하려는 경향이 작다고 합니다. 여기서 상대적이라 한 것은 수소이온이 환원하려는 경향과 비교한 값이기 때문입니다.

 

먼저 수소이온H+과 구리이온Cu2+ 은 산화되기 어려울 겁니다. 이미 산화된 상태이므로 전자를 빼앗기 힘들겠죠. 수소이온은 원래 하나 밖에 없는 전자를 빼앗긴 상태입니다.

남은 후보는 황산이온SO42− 과 물H2O 입니다. 표에서 두 물질 모두 환원된 상태입니다. 왼쪽의 산화된 상태에서 오른쪽의 환원된 상태로 되려는 경향을 나타낸 전위값이 각각 +2.010, +1.229 로 황산이온 쪽이 더 큽니다. 다르게 표현하면 황산이온이 물에 비해 전자를 잃기가 어렵다고 볼 수 있겠죠. 물, 수소이온, 황산이온, 구리이온 중에선 물이 전자를 잃고 산소와 수소이온이 되는 산화반응이 일어날 가능성이 가장 큽니다.

수용액에 녹아있는 유기첨가제들은 어떨까요. 첨가제는 여러 가지 유기물들의 조합이므로 개별적으로 따져보긴 어렵지만 일반적으로 탄소와 결합한 수소원자를 잃으면서 산화됩니다. 물이 산화되어 생성된 산소에 의해 산화되기도 합니다. 

 

같은 기준으로 보면 불용성양극이 양극에 웬만큼 센 + 전위를 가해도 이리듐, 탄탈럼 산화물 코팅층은 전자를 잃지 않을 것이라 예상할 수 있습니다. 사실 이 물질은 매우 안정한 세라믹상이기 때문에 산화되기 환원되기도 어렵습니다. 때문에 부식성 전해액 속에서 오래 견딜 수 있습니다.

 

결국 불용성 양극 자신은 산화되지 않는 대신 물과 유기첨가제들이 산화됨을 알 수 있습니다. 또 이 산화반응이 불용성양극의 표면에서 일어나, 양극과 연결된 전선을 거쳐 전자가 이동할 것입니다. 이와 더불어 이리듐, 탄탈럼 산화물 코팅층은 기특한 기능을 발휘합니다. 이 코팅층은 산화반응의 촉매로 작용합니다. 이리듐, 탄탈럼 산화물 표면에서 물이 산화되어 산소가 되는 반응의 환원전위가 낮아집니다. 환원전위가 낮아진다는 건 산화되기가 더 수월해진다는 의미가 됩니다.

 

이리듐, 탄탈럼 산화물 코팅층은 대략 이런 역할을 하는데, 왜 티타늄에 코팅해 전극을 만들까요. 동볼을 사용하는 전해조에도 티타늄을 사용합니다. 전극버스, 동볼바스켓이 티타늄이죠. 티타늄보다 저렴한 금속도 있고 전도도가 높은 금속도 있는데 말이죠. 이유를 따져봅시다.

 

우선 코팅을 하려면 하지가 있어야 합니다. 전선이나 전극버스에 코팅해 사용할 수 없습니다. 양극기재로 이용하려면

 

전해액에 담길 수 있는 형태로 가공가능하고

양도체이며

표면에 금속산화물 코팅공정이 가능한 재질

 

이어야 합니다. 

 

당연히 금속이 적당합니다. 문제는 왜 하필 티타늄이어야 하는가 입니다.

 

금속 전극을 이용하는 전해조에서 음극금속과 양극금속 모두 전기가 잘 통해야 합니다. 둘 다 전기가 잘 통하지만 전극과 전해액과 맞닿는 면에서 보면, 음극은 전류의 방향이 전해액에서 전극 쪽으로, 양극은 전류의 방향이 전극에서 전해액 쪽으로 흐른다는 걸 알 수 있습니다.(전자의 흐름 방향은 전류 방향과 반대입니다)

음극표면 : 전해액에서 전극으로 전류가 흐름 = 캐소딕 전류cathodic direction current

양극표면 : 전극에서 전해액으로 전류가 흐름 = 애노딕 전류anodic direction current

 

밸브금속은 anodic direction current가 잘 흐르는 반면 cathodic direction current에 저항성을 나타냅니다. 이런 밸브금속으로 티타늄titanium, 탄탈럼tantalum, 지르코늄zirconium, 몰리브데넘molybdenum, 컬럼비움columbium 그리고 텅스텐tungsten이 있습니다. 이들 중 가격, 물성을 고려해 티타늄을 이용합니다.

 

한편, 티타늄에 애노딕 전류anodic direction current를 계속 흘려주면 표면에 산화층이 생기는데, 이 산화층은 반도체라서 원래 금속 만큼 전류가 잘 흐르지 못합니다. 이를 표면이 부동태화 했다고 합니다. 전해도금에서 이용하는 티타늄 전극버스 표면은 부동태화 되어 있기 때문에 전류가 흘러도 도금액과 반응하지 않습니다. 전류는 내부로 흐릅니다. 티타늄 바스켓은 동볼과 물리적인 접촉으로 전류가 흐릅니다. 따라서 티타늄금속 만으로는 양극으로 쓸 수 없습니다.

 

이 티타늄표면에 귀금속 산화물을 코팅하여 전극이 만들어 집니다. 귀금속 산화물은 세라믹상이지만 전도성이고 전자전달반응 촉매로도 작용합니다. 내부식성이 강해 오래 사용할 수 있고 전해전압을 낮춰 에너지 소모를 줄이는 장점이 있습니다. 이를 electrocatalytically-active material 이라고 하는데 어떻게 번역되는지는 모르겠습니다. 직역하면 전기촉매활성물질 정도가 되겠네요. 도금 카테고리에 불용성 전극과 관련된 기술특허를 소개한 글이 있습니다. 관심 있는 분은 참조하시기 바랍니다.

 

지금까지 불용성 양극과 양극에서의 산화반응에 대해 알아봤습니다. 정리하면

 

전해조에서 전류를 흘려 주면 불용성 양극은 자신이 산화되지 않고 전극표면에서 산화반응이 일어난다.

밸브금속인 티타늄에 귀금속 산화물을 코팅해 불용성 양극으로 이용한다.

 

고 요약할 수 있겠습니다. 산화환원전위, 부동태, electrocatalytically-active material 는 중요한 개념이고 실무에도 매우 유용한 개념입니다. 풀어서 쉽게 설명할 능력이 안되다 보니 두루뭉실하게 넘어가는 과정에서 분명치 않은 부분이 있었습니다. 직장에서 직무 교육이 있다면 강사에게 혹 주변에 이 주제에 대해 잘 아는 분이 있다면 끈질기게 물어서 정리해 두시면 반드시 도움이 될 겁니다.

ldslma

​꼭지 4-2

LDS 또는 LMA

LDS(Laser direct structuring)와 LMA(Laser Manufacturing Antenna)기술은 사출성형한 플라스틱상에 도체 패턴을 만드는 기술입니다. 비전도성인 플라스틱표면에 도체패턴을 만드는 이유는 전기적 접속, 안테나 패턴형성, 부품실장을 위해서 입니다. 예를 들면 통신기기의 케이스에 무선통신을 위한 안테나를 구현하거나 패턴상에 LED 칩을 실장해 구동시킬 수 있습니다. 또 이렇게 구현된 부품을 3D MID(3D molded interconnect device)라고 합니다.

 

평평한 면이 아닌 입체상에 패턴을 형성하려다 보니 기존의 패터닝 기술을 이용하는데 한계가 있습니다. 이 한계를 극복하기 위한 방안으로 독일의 LPKF Laser & Electronics AG 가 제시한 기술이 LDS입니다. 이와 비슷하지만 기존의 ABS 수지를 금속화하는 기술을 접목해 안테나 패턴을 형성하는 기술을 LMA라고 합니다. 물론 이들 기술 역시 진화하고 있기 때문에 상용화 여부와 무관하게 다양한 프로세스가 제안될 수 있습니다.

 

따라서 이 글에서는 LDS와 LMA의 기본원리만을 다루려고 합니다. 본론에 들어가기에 앞서 플라스틱 수지, 착화제에 대한 기본적인 이해가 전제되어야 합니다. 착화제는 앞선 포스트에서 다룬 적이 있으니 참조하시기 바랍니다.

 

플라스틱 수지는 익히 알고 있는 PE, PP, PET, 폴리이미드, 에폭시수지, 폴리스타이렌 등등과 같은 물질들입니다. 중합체라는 말도 자주 쓰는데 에틸렌, 프로필렌과 같은 기본물질(단량체 라고도 합니다)를 연결 연결해 거대한 분자단위(고분자)를 만드는 과정을 중합이라고 하고 이렇게 만들어진 물질을 중합체라고 합니다.

 

이러한 수지를 원료로 제품을 만들기 위해 모양 만들기, 즉 성형 공정을 거칩니다. 상업적으로 주요한 성형공정 중 하나가 사출성형injection molding입니다. 일반적인 사출성형은 다음과 같은 순서로 진행됩니다.

 

먼저 용도에 적절한 수지를 선택합니다. 한 가지 수지를 원료로 할 수 있고 몇 가지 수지를 조합해 이용할 수도 있습니다. ABS수지는 아크릴, 부타디엔, 스타이렌 수지를 혼합한 것입니다.

 

이 수지원료에 물성조절을 위한 첨가제, 조색제(안료), 가공성 개선용 첨가제 등을 섞어 줍니다. 이렇게 잘 혼합된 수지는 알갱이 모양으로 만들어 자루에 담겨져 유통됩니다. 이 알갱이를 펠릿pellet이라고 합니다.

 

이제 원료가공이 끝났습니다. 사출성형을 위해서는 사출기와 금형mold가 필요합니다. 사출기는 펠릿을 열로 녹여 금형에 밀어 넣어주는 장비입니다. 녹여진 펠릿이 금형에 들어가 냉각되면 원하는 모양으로 성형됩니다.

이제 LDS을 봅시다. LDS프로세스는

 

촉매가 담지된 플라스틱 성형품,

레이저 식각,

무전해 도금

 

으로 구성됩니다. 프로세스를 요약하면 도체패턴을 플라스틱 표면에 만들기 위해 우선 원료에 도금 촉매로 작용할 수 있는 중금속을 첨가해 성형품을 만듭니다. 이 플라스틱 표면에 레이저를 조사해 패턴을 만듦과 동시에 촉매로 작용할 중금속을 노출시킵니다. 이를 무전해 도금욕에 넣어 도금 처리함으로서 금속패턴이 만들어집니다.

 

즉 레이저를 이용해 수지 안에 포함된 촉매를 활성화 시켜 그 부분에만 도금이 되도록 한다는 아이디어입니다. 수지 안에 촉매가 어떤 상태로 존재하는지 좀 더 자세히 살펴보겠습니다. 우선 촉매는 팔라듐입니다. 이 팔라듐은 금속상이 아닌 이온상으로 착화제와 결합한 착물형태입니다. 이 착물은 다시 실리카 또는 제올라이트와 같은 다공성 무기질 입자에 담지된 상태입니다. 레이저가 조사되면 다공성 무기질 입자 표면의 팔라듐이 환원되어 금속상의 팔라듐 촉매가 됩니다.

 

이 복잡하고 특이해 보이는 촉매를 만드는 이유를 설명하기 전에, 이것을 어떻게 만드는지 살펴볼 필요가 있습니다. 팔라듐 이온의 소스가 되는 팔라듐아세테이트를 착화제와 함께 적당한 용매에 녹인 후 다공성 무기질 지지체와 혼합합니다. 이때 형성된 팔라듐착물이 무기질 지지체의 표면과 기공에 달라붙게 됩니다. 이것을 건조한 후 분쇄해서 플라스틱 원료에 첨가합니다. 이 원료물질을 펠릿으로 만들어 사출공정을 통해 성형품을 만듭니다.

 

이런 식으로 만들어진 수지표면에 레이저를 조사하면 플라스틱은 열을 받아 연소되고 무기물 지지체에 붙어있던 팔라듐 착물의 팔라듐 이온이 환원되어 금속 팔라듐이 됩니다.

 

여기서 팔라듐을 다공성 무기질 표면에 착물로 만들어 주는 이유를 추정할 수 있습니다. 먼저 레이저에 조사된 수지는 표면부터 연소되지만 열로 인해 녹는 부분이 생깁니다. 녹아 버린 수지는 환원된 팔라듐을 감싸버려 촉매로서 작용하는데 방해가 될 수 있고 요철이 충분하지 않아 도금된 금속과 플라스틱 수지 사이의 결합력이 약해질 것입니다. 다공성 무기질 입자는 레이저에 조사되어도 녹지 않을 것이므로 이것의 표면엔 타지 않고 녹는 수지가 적을 것이고, 패턴상에 요철을 발생시켜 결합력을 높일 수 있을 것입니다. 결국 팔라듐 금속 알갱이를 수지에 섞는 것 보다 다공성 무기질 표면에 붙이는 편이 촉매로 이용하기에 좋고 결합력을 확보하기에도 좋습니다.

 

추가로 짚어볼 두 가지 문제가 있습니다. 팔라듐이온착물이 레이저에 조사되어 팔라듐 이온이 환원되는 반응메커니즘을 정확히 설명하지 않았습니다. 사실은 정확한 반응 메커니즘을 설명할 실력이 못됩니다. 레이저는 제가 잘 알지 못하는 분야입니다. 대신 이렇게 설명될 수 있을 것 같습니다. 도금폐수에 포함된 귀금속을 회수하기 위해 이온교환수지를 이용하는 경우가 있습니다. 이온교환수지에 교환된 귀금속이온을 다시 교환하는 방식으로 회수할 수도 있지만 경제적인 이유로 이렇게 회수하는 경우는 희소합니다. 대부분의 경우 이온교환수지를 태워 귀금속을 회수합니다. 플라스틱 수지가 열분해되는 과정에서 귀금속이온이 환원됩니다.

 

다른 하나는 이중사출 기술입니다. 무기질 지지체는 플라스틱의 물성과 가공성에 영향을 미칩니다. 따라서 도체 패턴이 필요한 부분에만 촉매를 담지한 무기질 지지체를 첨가한 수지를 쓰기 위해 이중사출장치를 이용합니다. 금형에 수지 주입구를 두 개 만들어 각각 다른 수지가 들어가도록 만든 장치입니다.

LDS프로세스는 촉매가 수지원료와 혼합되어 성형되는 반면 LMA프로세스는 이미 만들어진 성형품 표면에 촉매처리를 해주는 방식입니다. ABS도금을 연상하면 이해하기 쉽습니다. ABS도금의 경우 주요 프로세스는

 

표면을 화학적으로 에칭

촉매흡착을 위한 컨디셔닝

촉매흡착

촉매 활성화 처리

무전해 도금

 

으로 구성됩니다. .

 

LDS와 유사한 점은 플라스틱 수지에 다공성 무기질 입자를 혼합하고, 레이저로 패터닝한다는 점입니다. 다공성 무기질 입자는 촉매를 포함하지 않지만 금속층과의 결합력을 제공하고 촉매처리를 위한 표면을 제공합니다. LMA는 수지표면에 레이저가 조사된 부분에 촉매가 안정하게 흡착하고 활성화 되어야 하므로 이 공정에 다양한 표면처리 기술이 적용될 수 있습니다.

 

LMA가 다양한 응용프로세스가 존재하는 다른 이유로 LPKF의 특허권을 회피하려는 상업적 동기도 작용합니다. 또한 LDS와 LMA와 다른 독자적인 프로세스도 제안됩니다. 예를 들면 플라스틱 수지에 금속산화물을 혼입해 성형한 후 레이저를 조사해 금속산화물을 금속상으로 환원시키는 방법입니다. 이렇게 환원된 금속상은 후에 도금을 위한 시드층seed  layer역할을 합니다.  

 

LDS와 LMA프로세스에 대해 알아봤습니다. 이들에 관심이 가는 이유는 상업적인 용도로서 기술적인 가치가 있다는 점 외에 다양한 표면처리 기술이 접목될 수 있다는 점입니다. 도금실무를 하다 보면 업무에 매몰되 다양한 표면처리 기술을 접할 기회가 적습니다. 시야를 넓히기 위해 의도적인 노력이 필요하다는 점 회사와 직원 모두 잊지 말기를 바래봅니다. 

에반스

​꼭지 4-2

LDS 또는 LMA

에반스 다이어그램은 산화,환원 반응이 일어나는 전극에 흐르는 전류와 전압의 관계를 그림으로 표현한 것입니다. 이런 모양입니다.

가로축은 log스케일로 표현된 전류밀도, 세로축은 전극 전위입니다. 반쪽전지 전극에 외부에서 +(애노딕) 또는 -(캐소딕)전압을 가해 주었을 때 흐르는 전류의 전위[V]-전류[A/m2] 그래프입니다. +전압을 가해주면 애노딕 전류가 흐르고 전극표면에서 산화반응이 일어날 것이고, -전압을 가해주면 캐소딕 전류가 흐르고 전극표면에서 환원반응이 일어날 것입니다. 전압을 크게 할수록 전류가 커지므로 그림과 같이 전압의 크기와 전류밀도가 비례하는 그래프가 됩니다.

 

 

아래 그림은 구리전극을 각각 해수, 빗물, 음용수에 넣고 전압을 가해 얻은 에반스 다이어그램입니다. 염화은 전극을 기준전극으로 이용해 전압을 표시하였습니다.

다음 그림은 전압을 가로축으로, 전류를 세로축으로 그래프를 그렸습니다. 전류밀도가 상용로그 대신 자연로그(ln)로 표시되었습니다.

뭐 당연하지, 큰 전압을 가할수록 전류밀도가 커진다는 거, 특별할 것 없어 보입니다. 그런데 이 그래프를 잘 뜯어 보면 앞서 언급했던 활성화 분극, 농도분극, 부동태 그리고 CVS분석과 같은 측정방법과 연결되는 중요한 내용들이 포함되어 있음을 알게 됩니다.

 

그럼 이제부터 물고 뜯어 봅시다. 먼저 그래프는 평형전위 Eeq에서 시작됩니다. 평형전위는 앞의 글 ‘네른스트식’ 에서 소개했습니다. 산화, 환원 반응이 평형에 이른 때의 전위입니다. 겉으로는 아무 반응이 없어 보이지만 산화, 환원 반응속도가 동일해서 외부로 흐르는 전류가 0인 상태입니다.

 

즉 산화, 환원 반응에 의한 전류의 합은 0이지만 산화반응, 환원반응 각각에 의한 전류는 0이 아닙니다. 이 전류를 전류밀도로 표현하여 교환전류밀도 라고 합니다. 여기서는 전류와 전류밀도를 구분하지 않고 사용하겠습니다. 전류밀도는 면적당 흐르는 전류인데, 반쪽전지에서 전류밀도는 전류를 전극면적으로 나눈 값이 됩니다.

 

평형전위는 수소전극이나, 칼로멜 전극과 같은 기준전극에 대한 전위로 측정됩니다. 정리하면 반쪽전지가 평형에 있을 때 전압은 평형전위, 외부로 흐르는 전류는 0, 전극표면에서의 산화, 환원반응에 의한 전류는 교환전류밀도가 됩니다.

 

이 때 외부에서 전압을 가해주면 전극전위는 평형에서 벗어나 애노딕 또는 캐소딕 전류가 흐르게 될 겁니다. 외부에서 평형전위 보다 +전압을 가해주면 전극이 산화양극이 되고 이 때 전압과 평형전위의 차이를 애노드 과전압, 평형전위 보다 -전압을 가해주면 전극이 환원음극이 되고 이 때 전압과 평형전위와의 차이를 캐소드 과전압이라고 합니다.

 

이제 활성화 분극, 농도 분극, 부동태화가 에반스 다이어 그램에서 어떠한 양상으로 나타나게 되는지 본격적으로 살펴보겠습니다. 이를 위해 먼저 앞서 언급한 용어들을 기호로 바꿔 간단한 수식으로 표현해야 합니다.

 

평형전위: Eeq

과전압: E

애노드 과전압: Ea

캐소드 과전압: Ec

애노딕 전류: Ia

캐소딕 전류: Ic

교환전류밀도: I0

외부로 흐르는 전류: Ie

 

평형상태에서 애노딕 전류와 캐소딕 전류가 같고 이때의 전류밀도를 i0라 하였으므로

Ia = Ic = I0

이 때 전극 외부로 흐르는 전류가 0 이므로

Ie = 0

전극의 전위는 평형전위 Eeq 가 됩니다.

 

평형을 벗어 나면 외부로 전류가 흐를 것이고

Ie = Ia - Ic (산화가 일어나는 경우)

Ie = Ic - Ia (환원이 일어나는 경우)

가 됩니다.

 

평형상태인 전극에 외부에서 +전압을 걸어주면 전극의 전위는

Eeq + Ea

전극엔 애노딕 전류(산화전류)가 흐를 것이고 애노드 과전압과 애노딕 전류는 다음과 같은 관계식이 성립합니다.

 

Ea = Ba*log(Ie/I0)

 

반대로 - 전압을 가해주면

Ec = Bc*log(Ic/I0)

가 됩니다.

 

여기서 Ba, Bc는 타펠taffel 상수라 하고, 각각

 

Ba = + 2.3(R*T)/(@*z*F)

Bc = - 2.3(R*T)/((1-@)*z*F)

 

로 정의 됩니다. R은 기체상수, T는 절대온도, z는 산화수, F는 패러데이 상수, @는 이동계수 또는 대칭인자 라고 합니다.  

 

이동계수는 처음 언급되는 녀석이니 잠깐 살펴보겠습니다. 이동계수는 활성화 에너지와 관계되는 개념입니다. A가 B로 되는 반응이 있다고 가정합시다. 이 반응이 진행되려면 활성화 에너지라는 장벽을 넘어야 합니다. 물질 A가 활성화 에너지를 넘어가는 과정을 초고속 카메라로 촬영할 수 있다면 활성화 에너지 장벽을 넘어설 때 그 물질의 상태는 A라 하기도 B라 하기도 애매한 상태로 존재할 것입니다. 이 상태를 전이상태 transition state라고 합니다. 전이상태의 물질 중 일부는 에너지 장벽을 넘어서 B가 되거나 일부는 다시 A가 될 겁니다.

 

이동계수는 전이상태의 물질이 생성물이 되거나 반응물이 되는 경향을 0에서 1 사이의 수로 표현한 값입니다. 전이상태의 물질이 생성물로 되는 경향이 크다면 이동계수는 1에 가까운 값이 됩니다. 이 경우 B에서 A가 되는 반응을 일으키려면 A에서 B로 되는 활성화 에너지보다 큰 에너지가 필요하다는 말이 됩니다. 이동계수가 0.5라면 A에서 B로의 반응이든, B에서 A가 되는 반응이든 활성화 에너지는 같다고 할 수 있습니다.

 

타펠상수 Ba, Bc의 분모에 각각 이동계수 @와 (1-@)항이 있습니다. @의 값이 0.5라면 산화반응이든 환원반응이든 타펠상수값의 크기가(부호는 반대) 같게 됩니다. 만약 @의 값이 0.5보다 크거나 작다면 산화, 환원 반응의 활성화 에너지가 달라지게 될 겁니다. 에반스 다이어 그램을 다시 보면, 타펠 상수는 그래프의 기울기입니다. 전달계수에 따라 기울기가 변하고, 기울기가 달라진다는 것은 가해지는 과전압에 의해 흐르는 전류의 크기가 달라진다는 것입니다. 결국 그래프의 기울기로 산화, 환원 반응의 활성화 분극의 크기를 비교할 수 있습니다.

 

아래 그림은 특정한 부식방지제를 평가하기 위한 황동과 철(합금) 전극에 대한 분극실험 결과입니다. 

 구리의 그래프를 보면 -400mV를 넘어가면서 그래프 기울기가 수직에 가깝게 변합니다. 캐소드 과전압이 증가 하면서 전류도 증가하다가 -450mV부근부터 전류증가세가 급격히 감소합니다. 농도분극에 대해 설명하면서 환원반응이 진행될 때 전극주변의 산화종의 농도가 벌크의 농도보다 낮아지는 상황에 대해 언급한 바가 있습니다.(‘과전압 또는 분극’편  참조 바랍니다.)

 

전극 표면에서 산화종이 환원되므로 벌크에 비해 산화종의 농도가 낮아집니다. 만일 벌크에서 전극표면으로 산화종의 확산속도에 비해 전극표면에서의 환원속도가 크다면 전극표면의 산화종 농도가 점점 더 낮아지게 됩니다. 이렇게 되면 과전압을 가한 만큼 전류밀도가 증가하지 않습니다. 이 때의 전류밀도를 한계전류밀도라고 합니다.

 

확산속도를 크게 하면 한계전류밀도 또한 달라지겠죠. 전해액의 유속이 클수록, 온도가 높을수록 그리고 당연히 환원되는 물질의 농도가 높을수록 확산이 잘 일어날 겁니다.

이렇게 에반스 다이어그램으로 농도분극, 활성화분극으로 인한 전압-전류 변화를 볼 수 있어 반응의 특성을 파악하는 데 도움이 됩니다.

 

 

아래 그림은 강철 표면에 아연과 아연/망간합금을 각각 코팅한 전극을 염화나트륨 전해액에서 실험한 결과입니다. 음… 그래프 모양이 약간 복잡해 보입니다. 그림에서 Icorr은 부식(산화)가 일어나기 시작하는 전류밀도, Ecorr는 부식이 일어나기 시작하는 전압입니다.

아연코팅전극의 경우 전위가 증가함에 따라 전류밀도가 계속 증가하는 추세를 보입니다. 아연/망간합금코팅전극의 경우 전위가 증가함에 따라 전류밀도가 증가하다가 10-2A/cm2 부근에서 더 이상 증가하지 않고 오히려 감소하는 추세를 보입니다. 더 따라가 보면 전류밀도가 감소하다가 거의 변화가 없는 수직구간이 나타납니다. 이 구간은 전압을 증가시켜도 전류밀도가 변화하지 않는 상태입니다. 수직 구간을 지나면 다시 전류밀도가 증가합니다. 이런 패턴이 나타나는 이유는 전극표면에 부동태 피막이 생성되어 애노딕 전류가 흐르는 것을 억제하기 때문입니다.

 

일반적으로 부동태 피막은 금속의 산화물로 구성되며 전도성이 낮기 때문에 전류의 흐름을 억제합니다. 부동태 피악이 금속의 산화반응을 억제하는 역할을 하므로 방식(防蝕)분야에서 중요한 주제가 됩니다.

 

수직구간을 지나면 다시 전류밀도가 증가합니다. 부동태 피막이 파괴되거나 전해액의 물이 전기분해되면서 애노딕 전류가 증가합니다. 아연/망간합금에 비해 아연전극의 부식전류Icorr가 크다는 것을 알 수 있습니다. 전반적으로 같은 전압에서 아연전극의 전류밀도가 높습니다. 애노딕 전류가 크다는 것은 부식이 잘 일어난다는 의미가 됩니다.

 

아래 그림은 스테인리스강을 황산전해액에 넣어 분극실험을 수행한 결과입니다. 위의 아연합금코팅전극에 비해 매우 넓은 전압구간에서 부동태현상이 나타납니다.

이러한 부동태화는 스테인리스강의 내부식성을 설명해 줍니다. 애노다이징은 부동태화를 직접 이용하는 표면처리 기술입니다.

 

내용이 길어졌습니다. 압축해 보면, 에반스 다이어그램은 반쪽전지의 반응특성을 보여줍니다. 전극에 따라, 전해액 조성에 따라, 온도와 유속과 같은 반응조건에 따라 전압-전류 그래프가 달라집니다. 이 그래프를 비교, 해석함으로써 분극, 부동태화와 같은 현상을 이해하고 이용할 수 있습니다.

 

도금액 관리에 이용하는 CVS 역시 같은 메커니즘을 이용합니다. 도금액에 포함된 첨가제 농도에 따라 전압-전류 그래프가 달라질 겁니다. CVS는 전압-전류 그래프를 보고 첨가제 농도를 간접적으로 측정하는 방식입니다. 

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